«Ловушка для заряда» помогла Samsung изготовить первую 40-нм флэш-память

По сообщению компании Samsung Electronics, ее специалистам удалось создать первую в отрасли память, изготовленную по нормам 40 нм. Это 32-Гбит чип флэш-памяти типа NAND, в котором впервые нашла применение архитектура «ловушки для заряда» (Charge Trap Flash, CTF). Сама компания называет CTF не иначе, как «новым революционным подходом», который позволит повысить эффективность производства и характеристики памяти.

В частности, применение CTF позволило повысить надежность памяти, заметно снизив шумы внутри ячеек. Упрощение структуры также позволило повысить плотность памяти. Более того, архитектура CTF применима и при более тонких нормах: 30 и даже 20 нм.

Управляющий затвор каждой ячейки новой памяти по площади составляет всего лишь 20% от обычного значения. По сути дела, в отличие от выпускаемой сейчас памяти, в CTF отсутствует плавающий затвор. Вместо этого, как описывает процесс сам разработчик, данные помещаются в «область хранения» - некое пространство непроводящего слоя (нитрида кремния, SiN).

Производитель считает, что из 32-Гбит чипов памяти можно создавать карточки памяти объемом до 64 Гб. Одной такой карточки достаточно для записи 64 часов видео (40 фильмов в разрешении DVD) или 1340 часов звука (16000 песен в формате MP3).